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酸纯化器
一、产品简介
酸纯化器:也称酸纯化仪、酸蒸馏器、高纯酸提取系统、酸纯化系统、亚沸腾蒸馏器，常规实验室分析中，各种酸及试剂被广泛应用于日常的样品处理及分析中。然而，许多实验室常常由于酸的纯度较差，造成分析结果的偏差与错误。市售的超纯酸往往由于价格较贵，很难满足日常分析中对酸的大量需求。因此提纯优化酸的质量，成为经济可行的途径。
酸纯化器是利用热辐射原理，保持液体温度低于沸点温度蒸发，再将其酸蒸气冷凝从而制备高纯水和高纯试剂，广泛应用于样品处理及分析实验中。
三、产品说明
可以满足ICP、ICP-MS极低的检测限需要及苛刻的分析应用中提供实验室级超纯酸，所用容器均采用Teflon耐腐蚀无吸附塑料，可以处理HNO3、HCL、HF等实验室的常用酸。实验证明将金属杂质含量约10PPB的酸经过一次蒸馏后，金属杂质含量可以降低到0.01PPB左右。若对酸要求更高，可增加提纯次数。广泛用于地质、光伏、质检等行业的痕量、超痕量分析。
四、相关参数：
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型号 |
CH-I 500ml |
CH-II 1000ml |
CH-Ⅲ 2000ml |
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名称 |
酸纯化器 |
酸纯化器 |
酸纯化器 |
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产酸率 |
30ml/h |
50ml/h |
70ml/h |
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温控方式 |
PID温控数显 |
PID温控数显 |
PID温控数显 |
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控温精度 |
±1℃ |
±1℃ |
±1℃ |
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材质 |
FEP、PTFE、硅胶 |
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电压 |
220V/50Hz |
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功率（W） |
350 |
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优势 |
1.密闭环境下提纯酸，不受环境污染，确保酸纯度 |
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2.纯FEP、PTFE材质制造，空白值低无腐蚀 |
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3.技术先进，结构合理，操作简单，一键式操作，蒸干自我保护 |
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4.提纯过程中，极少量酸气逸出 |
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5.节约成本，方便实验：较短时间内纯化低成本的酸试剂以达到痕量分析要求 |
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五、产品特征
1.用纯度较高的PTFE，FEP，PFA的材质的容器PTFE，TeflonFEP PFA材质的容器组合而成，无腐蚀，且纯化过程都在密闭的环境下进行，防止实验室污染；
2.采环保节能加热片加热，温度可控，稳定，连续，均匀，样品回收率高；
3.酸纯化系统体积小，安全，可置于实验室的通风橱；
4.操作简便、可拆卸、废液清洗方便；
5.可提纯不同的酸
6.将金属杂质含量约10PPb的酸经过一次蒸馏后，金属杂质含量可以降低到0.01PPb左右；
7.数据参考：
实验数据（仅供参考）：仪器：CH-I 酸纯化器；试剂：优级纯HF
蒸馏后，经中国地质大学地质过程与矿产资源国家重点实验室ICP-MS检测出HF中杂质的含量：
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元素 |
测量浓度 （ng/g=ppb） |
分析方法 |
元素 |
测量浓度（ng/g=ppb） |
分析方法 |
|
Be |
＜0.01 |
ICP-MS |
Ce |
＜0.01 |
ICP-MS |
|
Sc |
＜0.01 |
GFAAS |
Pr |
＜0.01 |
GFAAS |
|
V |
＜0.02 |
ICP-MS |
Nd |
＜0.01 |
ICP-MS |
|
Cr |
＜0.22 |
ICP-MS |
Sm |
＜0.01 |
ICP-MS |
|
Co |
＜0.03 |
ICP-MS |
Eu |
＜0.01 |
ICP-MS |
|
Cu |
＜0.29 |
ICP-MS |
Gd |
＜0.01 |
ICP-MS |
|
Zn |
＜0.07 |
ICP-MS |
Td |
＜0.01 |
ICP-MS |
|
Ca |
＜0.02 |
GFAAS |
Dy |
＜0.01 |
GFAAS |
|
Rb |
＜0.02 |
ICP-MS |
Ho |
＜0.01 |
ICP-MS |
|
Sr |
＜0.1 |
ICP-MS |
Er |
＜0.01 |
ICP-MS |
|
Y |
＜0.01 |
ICP-MS |
Tm |
＜0.01 |
ICP-MS |
|
Zr |
＜0.01 |
ICP-MS |
Yb |
＜0.01 |
ICP-MS |
|
Nb |
＜0.01 |
GFAAS |
Lu |
＜0.01 |
GFAAS |
|
Mo |
＜0.05 |
ICP-MS |
Hf |
＜0.01 |
ICP-MS |
|
Cd |
＜0.05 |
ICP-MS |
Ta |
＜0.01 |
ICP-MS |
|
Sn |
＜0.1 |
ICP-MS |
W |
＜0.01 |
ICP-MS |
|
Cs |
＜0.01 |
ICP-MS |
Tl |
＜0.01 |
ICP-MS |
|
Ba |
＜0.05 |
GFAAS |
Pb |
＜0.05 |
GFAAS |
|
La |
＜0.01 |
ICP-MS |
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【电子级酸】：
适用于半导体生产过程中所用产品的清洗和蚀刻以及痕量金属元素残留分析，根据质控的金属元素含量的数量和含量，划分为4个级别：MOS级，VLSI级，ULSI级，SLSI级
MOS级（EL级）：控制十多个金属元素，单项金属元素杂质控制在100PPb左右
VLSI级：控制三十多个金属元素，单项金属元素杂质控制在10~100PPb
ULSI级：控制三十多个金属元素，单项金属元素杂质控制在10PPb以下
SLSI级：控制三十多个金属元素，单项金属元素杂质控制在1PPB以下